半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210447259.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103811339A
- 公开(公开)日：2014.05.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210447259.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103811339A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；选择性刻蚀初始鳍中的第一半导体层，使其横向凹入；在衬底上形成隔离层，该隔离填充所述横向凹入，隔离层除填充横向凹入之外的部分的顶面低于第一半导体层的顶面、高于第一半导体层的底面，从而限定出位于隔离层上方的鳍；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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平台保障
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