半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210441230.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103811315A
- 公开(公开)日：2014.05.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210441230.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103811315A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及形成第一栅介质层和浮栅层；在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成掩模层，并以该掩模层为掩模，对浮栅层进行构图，然后去除掩模层；以及形成第二栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 | ||
交易流程
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专利 -
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