单光子源器件的制备方法
- 申请号：CN201410054031.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103812003A
- 公开(公开)日：2014.05.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 单光子源器件的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410054031.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103812003A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑军;成步文;王启明 |
| 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 单光子源器件的制备方法 至单光子源器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种单光子源器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一下反射镜；步骤2：在下反射镜上制备一层有源层；步骤3：在有源层上制备上反射镜，形成谐振腔结构，完成制备。本发明是通过设计稀土纳米晶核壳结构，并将稀土纳米晶核壳结构转移至光学谐振腔中，以实现对稀土离子分布在空间上的精确控制，实现单光子源器件。 | ||
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