半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210447834.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103811341A
- 公开(公开)日：2014.05.21
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210447834.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103811341A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层进行构图，以形成初始鳍；对第一半导体层进行各向异性刻蚀，以在其中形成∑型横向凹入；在衬底上形成隔离层，所述隔离层填充所述横向凹入，且除了填充所述横向凹入的部分之外，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，从而限定出位于隔离层上方的鳍；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言