专利详情

专利名称	LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法
申请号	CN201410035607.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103820856A	公开（授权）日	2014.05.28
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	胡章贵;杨蕾;岳银超
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I
专利有效期	LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法至LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100℃去离子水中加入Li₂MoO₄和H₃BO₃，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10℃，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1℃/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。