专利详情

专利名称	单模光子晶体边发射半导体激光器
申请号	CN201410083323.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103825194A	公开（授权）日	2014.05.28
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;刘磊;刘云;渠红伟;张冶金;郭文华;石岩
主分类号	H01S5/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/065(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I
专利有效期	单模光子晶体边发射半导体激光器至单模光子晶体边发射半导体激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO₂绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。