一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法
- 申请号：CN201410051811.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN103868969A
- 公开(公开)日：2014.06.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201410051811.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103868969A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 周智;胡颖;单欣岩;陆兴华 |
| 主分类号 | G01N27/403(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/403(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法 至一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及基于固态纳米孔的分子或离子探测技术领域，尤其涉及一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法。氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。本申请通过在原子层厚度的氮化硼薄膜上设置纳米孔，且经过处理后的氮化硼薄膜具有良好的亲水性，进而提高了纳米孔传感器的亲水性。 | ||
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