专利详情

专利名称	一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法
申请号	CN201210533506.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103866280A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢维尔;夏洋;李超波;解婧
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法至一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后依次进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积，形成N-X-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先包含III主族元素施主掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。