专利详情

专利名称	金属有机配位聚合物薄膜、热电器件及其制备方法
申请号	CN201410092823.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103872239A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	孙源慧;黄大真;狄重安;朱道本;徐伟
主分类号	H01L35/34(2006.01)I	IPC主分类号	H01L35/34(2006.01)I;H01L35/24(2006.01)I
专利有效期	金属有机配位聚合物薄膜、热电器件及其制备方法至金属有机配位聚合物薄膜、热电器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种基于铜-7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌金属有机配位聚合物薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：在基底材料的一个表面上蒸镀铜膜；将表面蒸镀有铜膜的所述基底材料固定于管式炉的石英管的上部，且所述基底材料的蒸镀有所述铜膜的表面向下设置；所述石英管内于所述铜膜的下方放有7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌；在惰性气氛下，在120℃～160℃的加热条件下，所述7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌的蒸汽与所述铜膜发生氧化还原反应，即得到所述基于铜-7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌金属有机配位聚合物薄膜。本发明的金属有机配位聚合物薄膜可用于制备纵向热电器件。本发明的制备方法工艺简单，容易制备，对于研究存在各向异性的热电材料不同方向的热电性能有很好的应用。