专利详情

专利名称	相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法
申请号	CN201410115086.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103871463A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林;王倩
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法至相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线，至少两根所述块位线分别连接一第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一本地位线，至少两个所述本地位线通过一所述第一选通门连接至所述全局位线。所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗。