专利详情

专利名称	一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法
申请号	CN201410102732.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103864977A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	徐铜文;苗继斌
主分类号	C08F214/16(2006.01)I	IPC主分类号	C08F214/16(2006.01)I;C08F230/08(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I;C08J3/24(2006.01)I;C08L29/04(2006.01)I;C08L27/10(2006.01)I;C08L43/04(2006.01)I
专利有效期	一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法至一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法，其特征在于：通过自由基共聚制备多硅交联剂，然后利用多硅交联剂通过溶胶-凝胶法制备扩散渗析专用阴离子膜，所得阴离子膜包括非功能基化惰性聚合物区和功能基化离子交换区，还包括具有用于传导H⁺的-OH基团的辅助传导区。本发明制备的多硅交联剂内含有大量的离子交换基团，可提高膜的离子交换容量，保证分离效果，利用该多硅交联剂与含-OH聚合物（如聚乙烯醇）进行交联，可以改进传统聚合物膜的机械和电学等性能，制备出一系列不同性质的扩散渗析用杂化阴离子膜，本发明制备的扩散渗析专用阴离子膜的水含量（W_R）为30%～65%，离子交换容量为0.31～0.65mmol/g，H⁺渗析系数U_H为0.011～0.036m/h，分离系数为30.3～47.4。