专利详情

专利名称	用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法
申请号	CN201410132967.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103887163A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张峰;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I
专利有效期	用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法至用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法，包括：将一SiC衬底清洗；将一AlN薄膜沉积到清洗后的SiC衬底上；将AlN薄膜氧化为Al_xO_yN_z薄膜，通过氧化工艺控制，选择将AlN薄膜完全氧化成Al_xO_yN_z薄膜，或者部分氧化成Al_xO_yN_z薄膜，形成AlN/Al_xO_yN_z一种栅介质层；将一Al₂O₃薄膜淀积到Al_xO_yN_z薄膜上，形成Al_xO_yN_z/Al₂O₃和AlN/Al_xO_yN_z/Al₂O₃两种叠栅介质层；对得到的三种叠栅介质层进行氩气退火然后冷却；在退火后的三种叠栅介质层上溅射或蒸镀金属电极，形成MOS器件结构，完成制备。本发明制备的栅介质薄膜，具有介电常数高、界面态密度低和载流子迁移率高等缺点。