专利详情

专利名称	ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法
申请号	CN201410154760.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103882410A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵万顺;张峰;王雷;曾一平
主分类号	C23C16/455(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法至ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。