专利详情

专利名称	一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法
申请号	CN201410155237.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103878145A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李冬梅;周磊;梁圣法;李小静;张浩;谢常青;刘明
主分类号	B08B3/12(2006.01)I	IPC主分类号	B08B3/12(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I
专利有效期	一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法至一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法，包括如下步骤：使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干；使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干；将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。利用本发明，压缩酸性清洗流程的时间并延长碱性清洗流程的时间，同时利用更为有效的兆声清洗替代传统的超声清洗，解决了切割处理后硅酸镓镧晶片的清洗问题，提高了硅酸镓镧晶片表面的清洁度，取得了较好的清洗效果。