专利详情

专利名称	MEMS器件真空封装结构的制作方法
申请号	CN201210556515.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103879952A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	焦继伟;王敏昌
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	MEMS器件真空封装结构的制作方法至MEMS器件真空封装结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽，并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极，以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环形通槽的填充物致密性很高，提高了器件的隔离效果、可靠性以及器件在真空封装时的机械强度，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；本发明对全硅结构的真空封装采用硅硅键合，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势。本发明与CMOS工艺的完全兼容，不仅用于MEMS器件中的惯性器件的真空封装，也可用于红外等其他器件，如角速度传感器、能量采集器或红外传感器。