提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件
- 申请号：CN201410092505.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103887385A
- 公开(公开)日：2014.06.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 | ||
| 申请号 | CN201410092505.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103887385A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 姬小利;闫建昌;郭金霞;张连;杨富华;段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 |
| 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I |
| 专利有效期 | 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 至提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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