专利详情

专利名称	一种制备二硅化钽块体材料的方法
申请号	CN201410125984.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103882422A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	牛亚然;普慧;黄利平;季珩;郑学斌;丁传贤
主分类号	C23C24/02(2006.01)I	IPC主分类号	C23C24/02(2006.01)I
专利有效期	一种制备二硅化钽块体材料的方法至一种制备二硅化钽块体材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制备二硅化钽块体材料的方法，所述方法包括：采用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂到经表面预处理的耐高温基材至规定厚度，然后将耐高温基材剥离得到所述二硅化钽块体材料；所述二硅化钽粉的粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%；所述真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H₂：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm；喷涂功率：30-58kW；送粉速率：8-30g·min^-1；喷涂压力：100-800mbar。?