
制备氧化锆基NOx传感器的方法
- 申请号:CN201210564623.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN103884758A
- 公开(公开)日:2014.06.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 制备氧化锆基NOx传感器的方法 | ||
申请号 | CN201210564623.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103884758A | 公开(授权)日 | 2014.06.25 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 冯涛;夏金峰;蒋丹宇;黄德信;徐兵;李雨林;粘洪强;徐海芳 |
主分类号 | G01N27/407(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/407(2006.01)I;G01N27/409(2006.01)I |
专利有效期 | 制备氧化锆基NOx传感器的方法 至制备氧化锆基NOx传感器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种氧化锆基NOx传感器的制备方法,包括:提供NOx传感单元、氧传感单元和加热体;所述NOx传感单元由NOx敏感层、参比气体通道层、氧化锆层组成,所述NOx敏感层包括NOx测试电极层、氧化锆层和参比电极;所述氧传感单元由氧敏感层、参比气体通道层和氧化锆层组成,所述氧敏感层包括氧测试电极层、氧化锆层和参比电极;所述加热体层包括绝缘层、加热电极、氧化锆层、引脚孔和引脚;将所述NOx传感单元、氧传感单元和加热体层叠共烧,制得氧化锆基NOx传感器;其中,所述加热体位于NOx传感单元和氧传感单元之间;所述NOx传感单元、氧传感单元和加热体之间加入低温玻璃粉,在800~1200℃下进行低温共烧。 |
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