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制备氧化锆基NOx传感器的方法

  • 申请号:CN201210564623.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN103884758A
  • 公开(公开)日:2014.06.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 制备氧化锆基NOx传感器的方法
申请号 CN201210564623.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103884758A 公开(授权)日 2014.06.25
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 冯涛;夏金峰;蒋丹宇;黄德信;徐兵;李雨林;粘洪强;徐海芳
主分类号 G01N27/407(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/407(2006.01)I;G01N27/409(2006.01)I
专利有效期 制备氧化锆基NOx传感器的方法 至制备氧化锆基NOx传感器的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种氧化锆基NOx传感器的制备方法,包括:提供NOx传感单元、氧传感单元和加热体;所述NOx传感单元由NOx敏感层、参比气体通道层、氧化锆层组成,所述NOx敏感层包括NOx测试电极层、氧化锆层和参比电极;所述氧传感单元由氧敏感层、参比气体通道层和氧化锆层组成,所述氧敏感层包括氧测试电极层、氧化锆层和参比电极;所述加热体层包括绝缘层、加热电极、氧化锆层、引脚孔和引脚;将所述NOx传感单元、氧传感单元和加热体层叠共烧,制得氧化锆基NOx传感器;其中,所述加热体位于NOx传感单元和氧传感单元之间;所述NOx传感单元、氧传感单元和加热体之间加入低温玻璃粉,在800~1200℃下进行低温共烧。

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