专利详情

专利名称	一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
申请号	CN201210563466.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103884927A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	郭敬东;祝清省;刘志权;崔学顺;吴迪;张磊;曹丽华
主分类号	G01R31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)I
专利有效期	一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法至一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法，属于微电子产品可靠性测试与寿命预测技术领域。该方法步骤为：（1）测量待测样品的初始电阻，设定电阻变化阈值；（2）在恒温条件下对测试样品施加电流载荷，测试样品的电阻变化，进一步得出电迁移指数前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q_em；（3）在温度循环载荷下测试样品的电阻变化，进一步得出非弹性剪切应变范围Δγ₀，疲劳延性指数c，疲劳延性系数ε_f；（4）在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下测试样品的电阻变化，进一步得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l；（5）对应不同电流密度和温度循环条件，根据公式（3）计算微电子产品的服役寿命。