专利详情

专利名称	一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置
申请号	CN201210575352.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103901013A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	祁志美;胡德波;逯丹凤
主分类号	G01N21/65(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/65(2006.01)I
专利有效期	一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置至一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法，所述方法将待测薄膜形成于棱镜表面，再将入射光射入棱镜并在棱镜/待测薄膜界面处发生全反射，利用全反射产生的消逝场激发待测薄膜的拉曼信号，然后增大待测薄膜上方覆盖层折射率，用于增强消逝场，最终实现待测薄膜拉曼信号的增强。该方法也可以利用光纤或光波导取代棱镜，通过增强光纤或光波导的消逝场实现待测薄膜拉曼信号的增强。本发明的拉曼信号增强方法操作简单，重复性好，具有良好的表面选择性，消逝场偏振状态灵活可调，覆盖层折射率易于控制，非常适合用于探测单分子吸附层，表面修饰层等固体超薄膜的拉曼信号。