专利详情

专利名称	一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法
申请号	CN201410122456.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904119A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙博韬;王立新;张彦飞;高博
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法至一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有纵向屏蔽栅的Trench?MOSFET，包括：衬底；外延层；位于外延层顶部的源掺杂区；位于外延层内源掺杂区下方的阱区；生长在外延层上部的多晶硅栅极；位于外延层与多晶硅栅极间的栅氧化层；位于多晶硅栅极下方的多晶硅源极；位于外延层与多晶硅源极间的侧壁氧化层；位于多晶硅栅极与多晶硅源极间的隔离氧化层；覆盖多晶硅栅极及源掺杂区的表面氧化层；位于外延层的内部的源接触孔；包围源接触孔，并与阱区相连的源第二掺杂区；多晶硅源极与侧壁氧化层的总宽度大于多晶硅栅极与栅氧化层的总宽度；源接触孔底端的竖直高度小于侧壁氧化层顶端的竖直高度。本发明形成纵向屏蔽电场，提高抗单粒子相应的能力。