专利详情

专利名称	钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
申请号	CN201210579396.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103898474A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波;彭程;张中华
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法至钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl₃脉冲，清洗未被吸收的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₂Te脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₂Te和反应副产物；2）引入H₂与Si₂H₆混合脉冲，清洗残余的H₂与Si₂H₆，然后引入WF₆脉冲，清洗残余WF₆和反应副产物；3）引入SbCl₃脉冲，清洗残余的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₃Sb脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₃Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。