一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器
- 申请号：CN201210587264.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN103900753A
- 公开(公开)日：2014.07.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器 | ||
| 申请号 | CN201210587264.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103900753A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 陈德勇;曹明威;王军波 |
| 主分类号 | G01L9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01L9/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器 至一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于SOI工艺的电磁激励电磁检测的高精度硅微谐振式气压传感器。其核心部件是传感器芯片，由包含SOI工艺制作的单晶硅H型谐振器及单晶硅压力敏感膜的SOI硅片和带有引线通孔的硼硅玻璃盖片通过真空阳极键合形成。单晶硅H型谐振器工作于参考真空中，不受待测气压介质的影响，品质因数较高，频率输出稳定。本发明在实现圆片级真空封装的同时，解决了圆片级封装引线困难的问题。 | ||
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