专利详情

专利名称	一种基于化学镀镍合金的通孔填充方法及其应用
申请号	CN201210570600.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904022A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	祝清省;刘志权;郭敬东;张磊;曹丽华
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种基于化学镀镍合金的通孔填充方法及其应用至一种基于化学镀镍合金的通孔填充方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于化学镀镍合金的通孔填充方法及其应用，属于微电子和微机电系统封装技术领域。该方法首先在基体上制备通孔，然后在通孔的侧壁表面上直接或间接地通过化学镀的方法制备化学镀镍合金层，再以化学镀镍合金层作为种子层进行电镀填充。本发明提出一种通过化学镀镍合金作为通孔的阻挡层和电镀的种子层的技术，此技术可以实现阻挡层和种子层的一体化，可以简化传统的工艺流程，大大节省成本；通过化学镀的方法，在高深径比的通孔内可以使镀膜分布更加均匀，有效避免离子溅射方法产生的“盲区”，这有利于获得完整的电镀填充效果。该方法用于微电子三维封装的硅通孔互连技术，或者用于玻璃或树脂基体的通孔连接技术。