专利详情

专利名称	基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法
申请号	CN201410165319.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103901085A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	高安然;李铁;戴鹏飞;鲁娜;王跃林
主分类号	G01N27/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/26(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法至基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产；器件具有双极特性，对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性，特别适合生化分子检测的应用。另外，本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面，该结构与其他纳米线结构（如圆柱，梯形截面）相比，比表面积更大，调制效率更高，且硅纳米线暴露的两（111）面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜，对于生化传感有利。