专利详情

专利名称	双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法
申请号	CN201410112197.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904161A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	苏艳梅;种明
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法至双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中，使得两个波段都有高的光栅耦合效率，提高器件的性能。