专利详情

专利名称	基于纳米线的平面热电器件的制备方法
申请号	CN201410155903.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904209A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	祁洋洋;张明亮;王珍;王晓东;杨富华
主分类号	H01L35/34(2006.01)I	IPC主分类号	H01L35/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	基于纳米线的平面热电器件的制备方法至基于纳米线的平面热电器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P⁺⁺层；在P⁺⁺层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻；在电极引线附近开孔，暴露出部分P⁺⁺层；在暴露出的部分P⁺⁺层和电极引线上分别沉积第二金属材料层；在整个表面沉积第二绝缘材料层；暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；刻蚀所述条形结构使其变成纳米线结构；从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构。