专利详情

专利名称	基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
申请号	CN201410112734.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904134A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	康贺;王晓亮;肖红领;王翠梅;冯春;姜丽娟;殷海波;崔磊
主分类号	H01L29/872(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期	基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法至基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。