专利详情

专利名称	具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法
申请号	CN201410158350.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904175A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	甄爱功;马平;张勇辉;田迎冬;郭恩卿;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法至具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法，包含：在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶；在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜；光刻，在第一光刻胶上形成图形；以第一光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在p型氮化镓层上形成多孔状或柱状的光子晶体；在多孔状的光子晶体表面旋涂第二光刻胶；在第二光刻胶上制作第二单层纳米球薄膜；光刻，在第二光刻胶上形成图形；以第二光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在多孔状的光子晶体上形成具有波导结构的光子晶体；制作电极，完成正装结构的制作。