二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法
- 申请号：CN201410056684.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN103904210A
- 公开(公开)日：2014.07.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 | ||
| 申请号 | CN201410056684.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103904210A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 孔祥东;李晓娜;韩立;初明璋;许壮 |
| 主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 至二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式（三明治型）二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结，S代表超导层。 | ||
交易流程
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