专利详情

专利名称	离子注入剂量的检测方法
申请号	CN201210567495.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103903997A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	窦伟;李超波;邹志超
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I
专利有效期	离子注入剂量的检测方法至离子注入剂量的检测方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种离子注入剂量的检测方法，包括获取等离子体的谐振频率ω_e；根据谐振频率ω_e通过计算获得ICP放电产生的等离子体中离子的密度n_pi，板形鞘层的厚度S₀、正离子的振荡频率ω_pi，T_P时刻准稳态蔡尔德鞘层的厚度S_Tp；根据Tp时刻准稳态蔡尔德鞘层的厚度S_Tp及离子密度n_pi计算获得离子注入过程中离子的注入剂量N。本发明提供的一种离子注入剂量的检测方法，由于利用PIII系统本身射频源对腔室等离子体反馈的信息得到腔室中的等离子体离子数目，而不是在腔室中加入探针去测量，可以在保证腔室中的等离子体状态，避免检测误差的同时，还能更精确的获得注入离子剂量的信息。