专利详情

专利名称	硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品
申请号	CN201210593282.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103911662A	公开（授权）日	2014.07.09
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地	发明（设计）人	涂小牛;郑燕青;孔海宽;杨建华;施尔畏
主分类号	C30B29/30(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/30(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I
专利有效期	硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品至硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品，所述方法采用坩埚提拉法生长晶体，包括：在接种工序中，将原料加热至熔化并在高于熔化温度80℃～140℃下保温使熔体稳定，并将籽晶在高于熔化温度10℃～30℃下接触熔体；旋转籽晶并开始提拉生长晶体，其中包括缩颈工序、扩肩工序、等径工序和收尾工序；以及在原位退火工序中，提拉晶体使晶体脱离熔体后保持位置不变并旋转晶体、以10～30℃/h的速率使熔体温度降至1200～1400℃，保持10～30h后以10～30℃/h的速率降至室温。