专利详情

专利名称	一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜
申请号	CN201410121172.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103915538A	公开（授权）日	2014.07.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	侯义合;张冬冬;丁雷;刘加庆;谭婵;朱学谦
主分类号	H01L33/36(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/36(2010.01)I
专利有效期	一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜至一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP-LED器件电极层上的有限深空气孔阵列，厚膜的结构参数（晶格常数a,孔半径r，孔深度d）是针对QWIP-LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术，工艺简单。该厚膜结构在QWIP-LED器件上的应用，一方面可大幅提升QWIP-LED器件的光提取效率，从而使器件的红外上转换效率得以提高；另外一方面充分保护了器件的电气特性，从而保证了QWIP-LED图像输出功能不受破坏。