专利详情

专利名称	一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法
申请号	CN201410121137.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103911667A	公开（授权）日	2014.07.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	孙士文;何力;杨建荣;周昌鹤;虞慧娴;徐超;盛锋锋
主分类号	C30B29/48(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/48(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法至一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大，质量优。