专利详情

专利名称	提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构
申请号	CN201410120046.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103925994A	公开（授权）日	2014.07.16
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	刘华;全向前;许家林;卢振武;王晓朵;党博石
主分类号	G01J3/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01J3/02(2006.01)I;G01J3/28(2006.01)I
专利有效期	提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构至提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	提高DMD哈达玛变换光谱仪编码效率的电学结构，属于光电仪器制造技术领域，为了解决现有技术哈达玛变换光谱仪的编码、采集时间非常长的问题，控制FPGA将哈达玛编码条纹数据预存到FLASH中；Cortex-M3通过RS-232给FPGA发送开始编码的命令；FPGA接收到命令后，读取FLASH中255帧编码条纹数据到DDR2内存中，通过DAD驱动DMD播放编码条纹，对光谱进行编码；当DMD稳定后，FPGA会发送一个同步信号触发Cortex-M3对光谱信号进行采集，将探测器采集到的信号通过直流放大电路放大及ADC进行转换得到数字信号，最后将测得的信号存放在Cortex-M3中，当所有编码完成后进行解码。