专利详情

专利名称	低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置
申请号	CN201410140855.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103922310A	公开（授权）日	2014.07.16
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	侯鹏翔;刘畅;成会明;石超;丛洪涛
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置至低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体为一种低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及其专用装置。催化剂前驱体、生长促进剂、惰性剂粉末在常温下混合均匀，由载气及碳源匀速、极低量输入反应区，反应区为垂直或水平管式炉。其中生长温度为500～1000℃，催化剂前驱体为Fe、Ni或Co的有机化合物、无机盐、纯金属粉末等，供量为2×10^-8～2.9×10^-7克当量/小时·cm²；生长促进剂为含硫有机物，供量为1×10^-10～2.9×10^-9克当量/小时·cm²；碳源为小分子碳氢化合物，供量为1×10^-5～3.9×10^-4克当量碳/分钟·cm²；载气为氩气或氮气或氦气或氢气，供量为1～100ml/分钟·cm²。生长过程中根据需要通入刻蚀剂，实现低成本、低能耗、宏量生产高纯度、高质量、平直、小直径碳纳米管。