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一种三维红外光源及其制作方法

  • 申请号:CN201410182370.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103922274A
  • 公开(公开)日:2014.07.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种三维红外光源及其制作方法
申请号 CN201410182370.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103922274A 公开(授权)日 2014.07.16
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李铁;郭联峰;刘延祥;王翊;周宏;王跃林
主分类号 B81C1/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I
专利有效期 一种三维红外光源及其制作方法 至一种三维红外光源及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法,提供一硅片;在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜;在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止;沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列;去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜;形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝,在电阻丝表面形成钝化层;在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口;沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止;沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中,减少了发热丝通过衬底的热传导,减少空气热对流引起的热耗散,实现了能量聚集的作用,降低功耗的同时,提高了能量转换效率。

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