半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201310014872.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103928334A
- 公开(公开)日：2014.07.16
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201310014872.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103928334A | 公开（授权）日 | 2014.07.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：衬底，衬底中形成有阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成的鳍状结构；在衬底的表面上形成的隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，仅在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成有穿通阻挡部。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言