
一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法
- 申请号:CN201410165583.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
- 公开(公开)号:CN103926707A
- 公开(公开)日:2014.07.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法 | ||
申请号 | CN201410165583.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103926707A | 公开(授权)日 | 2014.07.16 |
申请(专利权)人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明(设计)人 | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;姚纳;胡承刚;蒲明薄;王炯;刘利芹;杨磊磊 |
主分类号 | G02B27/58(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B27/58(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
专利有效期 | 一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法 至一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法,采用器件主要由透明基底、纳米结构层和波导共振多层膜构成。对于确定波长的平面波照射透明基底,透明基底上的纳米结构层将照明平面波衍射为各级次平面波。利用波导共振多层膜的共振耦合特性,对于各级次平面波透射波导共振多层膜后将产生特定单一级次的表面等离子体光场,波导共振多层膜材料的虚部吸收小、激发产生的表面等离子体光场强度高,最终可以在波导共振多层膜的上表面形成纵向5nm~50nm范围内倏逝的表面等离子体光场。本发明的方法对波导共振多层膜的厚度误差、粗糙度要求低,有望用于超分辨显微的结构照明、表面等离子体干涉光刻、表层显微、表面等离子体生物传感等领域。 |
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