专利详情

专利名称	一种电子束低温发热测量系统
申请号	CN201320811554.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203720119U	公开（授权）日	2014.07.16
申请（专利权）人	中国科学院上海应用物理研究所	发明（设计）人	崔剑;许皆平;张正臣;李明;徐俊杰;郁静芳;樊勇;季现凯;江勇
主分类号	G01N25/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01N25/20(2006.01)I;G01K17/00(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I
专利有效期	一种电子束低温发热测量系统至一种电子束低温发热测量系统	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种电子束低温发热测量系统，用于测量电子束在真空、低温环境下的发热量，其特征在于，该系统包括：真空室；位于所述真空室内以供所述电子束穿过的冷屏；位于所述冷屏内并用于接收所述电子束的发热量的金属板；若干设置在所述金属板上的低温传感器；位于所述真空室外并与所述低温传感器连接的温度检测仪；用于保持所述真空室内的真空环境的真空泵；以及用于保持所述真空室内的低温环境的制冷机。本实用新型的测量系统可以精确测量处于真空室内的电子束在低温环境下的发热，为电子束储存环的设计提供参考。