欢迎来到喀斯玛汇智科技服务平台

服务热线: 010-82648522

首页 > 专利推荐 > 专利详情

GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉

  • 申请号:CN201320828702.X
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN203720111U
  • 公开(公开)日:2014.07.16
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
  • 立即咨询

专利详情

专利名称 GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉
申请号 CN201320828702.X 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN203720111U 公开(授权)日 2014.07.16
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花
主分类号 G01N23/207(2006.01)I IPC主分类号 G01N23/207(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I
专利有效期 GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 至GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉,属于物质微观结构实时检测的实验设备领域。该微型晶体生长炉采用顶部加热方式,使实验晶体上表面均匀熔化形成一层薄膜,该薄膜从表面到晶体可形成熔体、边界层和晶体的三个区域。采用不同的入射角的X射线对晶体表面和薄膜进行掠入射扫描,可分别采集到薄膜不同深度处的衍射谱,以及与之相对应的薄膜不同深度的有序度及其变化。

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

平台保障

1、源头对接,价格透明

2、平台验证,实名审核

3、合同监控,代办手续

4、专员跟进,交易保障

  • 用户留言
暂时还没有用户留言

求购专利

专利交易流程

  • 01 选取所需专利
  • 02 确认专利可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书
官方客服(周一至周五:8:30-17:30) 010-82648522