专利详情

专利名称	基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制装置
申请号	CN201420024563.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203722050U	公开（授权）日	2014.07.16
申请（专利权）人	中国科学院武汉物理与数学研究所	发明（设计）人	李刘锋;沈辉;陈李生;王春
主分类号	H01S3/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01S3/115(2006.01)I;H01S3/13(2006.01)I
专利有效期	基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制装置至基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制装置，涉及精密测量和激光频率稳定技术领域。本实用新型通过采用电压反馈和温度反馈相结合的方式来主动控制光相位调制过程中产生的剩余幅度调制效应，以避免电压反馈信号和调制信号相互干扰的现象；同时利用温度反馈和电压反馈的优点，提高反馈系统的稳定性和可靠性，有效降低光相位调制中的剩余幅度调制。本实用新型结构简单，对电光晶体无特殊加工要求，易实现；可获得较宽的控制带宽，弥补了仅使用温度环路进行剩余幅度调制温度带宽很低的缺点；同时使用温度反馈控制和电压反馈控制，使得系统控制的动态范围大，锁定稳定可靠；该原理具有普遍适用性，可用于其他电光相位调制器。