
APD温度自适应近红外单光子探测装置
- 申请号:CN201320859186.7
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN203732166U
- 公开(公开)日:2014.07.23
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | APD温度自适应近红外单光子探测装置 | ||
申请号 | CN201320859186.7 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203732166U | 公开(授权)日 | 2014.07.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 张战盈;徐赤东;纪玉峰;余东升;方蔚恺;张伟丽 |
主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J11/00(2006.01)I |
专利有效期 | APD温度自适应近红外单光子探测装置 至APD温度自适应近红外单光子探测装置 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型公开了APD温度自适应近红外单光子探测装置,包括雪崩光电二极管APD、直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块和外壳;直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路与DC-DC高压模块输入端连接;雪崩光电二极管APD的阴极通过电阻R1与DC-DC高压模块输出端连接;雪崩光电二极管APD的阳极与信号放大输出电路连接;雪崩光电二极管APD的阳极通过负载电阻R2接地;直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块安装在外壳的内腔;雪崩光电二极管APD嵌入外壳的前端。本实用新型通过直流偏压温度跟随电路,保证温度变化时APD增益的稳定。 |
交易流程
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专利 -
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