专利详情

专利名称	一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法
申请号	CN201410153249.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103943677A	公开（授权）日	2014.07.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	谢海忠;纪攀峰;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法至一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀形成台阶；分别形成氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源极，形成于氮化镓帽层上的栅极，其中，漏极、源极和栅极各自的下方直至衬底背面分别形成通孔，三个通孔的侧壁形成绝缘层，其内部填充金属，从而将漏极、源极和栅极电性连接至衬底背面。本发明将漏极、栅极、源级的金属层用导电通道的方法连接到衬底背面，在原有器件性能不变的基础上，能大大缩减封装器件的体积。