专利详情

专利名称	提高光提取效率发光二极管的制备方法
申请号	CN201410185391.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103943739A	公开（授权）日	2014.07.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘娜;孙雪娇;孔庆峰;梁萌;王莉;魏同波;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	提高光提取效率发光二极管的制备方法至提高光提取效率发光二极管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。