专利详情

专利名称	一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
申请号	CN201410189193.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103943512A	公开（授权）日	2014.07.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;王慧山;孙秋娟;卢光远;陈吉;张学富;吴天如;谢晓明;江绵恒
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法至一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。