专利详情

专利名称	基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
申请号	CN201410184396.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103943714A	公开（授权）日	2014.07.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	宋国峰;许斌宗;韦欣;刘杰涛;相春平;付东;徐云
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I
专利有效期	基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器至基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层；形成于上掺杂层上的金属光栅层，该金属光栅层为二维周期性亚波长光栅；其中，入射光波由半导体衬底未沉积薄膜的一面射入，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明采用二维的周期性金属孔阵结构，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体界面附近，可以弥补减薄的吸收层损失的探测率。