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一种MEMS传感器封装结构及其封装方法

  • 申请号:CN201410183524.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
  • 公开(公开)号:CN103950886A
  • 公开(公开)日:2014.07.30
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种MEMS传感器封装结构及其封装方法
申请号 CN201410183524.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103950886A 公开(授权)日 2014.07.30
申请(专利权)人 中国科学院地质与地球物理研究所 发明(设计)人 薛旭;郭士超
主分类号 B81B7/00(2006.01)I IPC主分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I
专利有效期 一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 至一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法,其用于封装MEMS传感器,其特征在于,包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁和顶盖,皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料,降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响,同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联,可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成,实现高密度系统级封装,实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。

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