
一种MEMS传感器封装结构及其封装方法
- 申请号:CN201410183524.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
- 公开(公开)号:CN103950886A
- 公开(公开)日:2014.07.30
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 | ||
申请号 | CN201410183524.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103950886A | 公开(授权)日 | 2014.07.30 |
申请(专利权)人 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 发明(设计)人 | 薛旭;郭士超 |
主分类号 | B81B7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I |
专利有效期 | 一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 至一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法,其用于封装MEMS传感器,其特征在于,包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁和顶盖,皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料,降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响,同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联,可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成,实现高密度系统级封装,实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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