专利详情

专利名称	一种MEMS传感器封装结构及其封装方法
申请号	CN201410183524.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103950886A	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	中国科学院地质与地球物理研究所	发明（设计）人	薛旭;郭士超
主分类号	B81B7/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I
专利有效期	一种MEMS传感器封装结构及其封装方法至一种MEMS传感器封装结构及其封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法，其用于封装MEMS传感器，其特征在于，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘；所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接，所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上，所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接；所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构；一侧壁和顶盖，皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料，降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响，同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联，可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成，实现高密度系统级封装，实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。