专利详情

专利名称	一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板
申请号	CN201410142703.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103954804A	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	张瑾;仇志杰;温旭辉
主分类号	G01R1/04(2006.01)I	IPC主分类号	G01R1/04(2006.01)I
专利有效期	一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板至一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）。上铜层（0101）刻蚀有正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0204）、第二门极区（0205），以及门极桥接区（0206），六个电路区域之间有绝缘沟道（0209）。第一门极区（0204）位于上铜层（0101）的左端，第一门极区（0204）的上方和右方为正电极区（0201），第一门极区（0204）的下方为公共电极区（0202）。公共电极区（0202）的右侧为负电极区（0203）。负电极区（0203）的左侧及下方为公共电极区（0202），右侧为第二门极区（0205）。门极桥接区（0206）位于负电极区（0203）内部，并且，门极桥接区（0206）位于覆铜陶瓷基板（01）的横轴中心线上。