一种BTS型栅SOI器件的建模方法
- 申请号：CN201410167764.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103955574A
- 公开(公开)日：2014.07.30
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种BTS型栅SOI器件的建模方法 | ||
| 申请号 | CN201410167764.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103955574A | 公开（授权）日 | 2014.07.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;罗家俊;韩郑生 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种BTS型栅SOI器件的建模方法 至一种BTS型栅SOI器件的建模方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种SOI?MOS器件的建模方法，其中该SOI?MOS器件为BTS型栅SOI?MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。根据本发明提供的建模方法，考虑BTS型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对BTS型栅SOI器件的仿真设计。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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